介電常數(shù)測試儀 應(yīng)用：高速數(shù)字/微波回路的各種材料；新材料；半導(dǎo)體材料；薄膜材料。 
【正確把握材料的電學(xué)性能，在新材料，以及新產(chǎn)品的開發(fā)得到zui大限度的利用】 
利用創(chuàng)新的開發(fā)理念，實(shí)現(xiàn)了低成本開發(fā)。 

計(jì)量技術(shù)的重大突破 
率的設(shè)備和系統(tǒng)應(yīng)用在現(xiàn)代寬帶通信技術(shù)中成功發(fā)展的關(guān)鍵是了解材料的電學(xué)性質(zhì)。在過去，微波知識(shí)的掌握和昂貴設(shè)備的使用經(jīng)驗(yàn)對傳統(tǒng)介質(zhì)的測量是必要的。而AET公司開發(fā)的微波介電常數(shù)測定儀不需要昂貴的設(shè)備，它能夠快速無損的測量各種形狀的材料，包括薄膜電介質(zhì)材料，通過一個(gè)開放型同軸共振器的消逝模式進(jìn)行測量。內(nèi)置的反饋電路可以使得測量更準(zhǔn)確，振蕩器的操作更簡單。精度是通過結(jié)合高Q腔，高度的測量算法和三維電磁仿真軟件得到保證。

*MW STUDIO: 是CST GmbH提供的三維電磁場仿真軟件。

不用必須使用微波發(fā)生器 
AET的微波介電常數(shù)測試儀有兩種型號(hào)的，分別是合成掃描振蕩器型（可以代替微波發(fā)生器），和微波發(fā)生器型。合成掃描振蕩器型包括一個(gè)振蕩器（振蕩器中有一個(gè)微波信號(hào)發(fā)生裝置和一個(gè)檢測器），一個(gè)測量探測器，一套定制的軟件和一些附件。這款機(jī)器造價(jià)很低主要是由于他不用很昂貴的測量器件。另一種的微波發(fā)生型提供了微波發(fā)生裝置可供使用。它也包括一個(gè)測量探測器，一套定制的軟件和一些附件。 

快捷簡便的測量： 
AET的微波介電常數(shù)測定儀zui大的優(yōu)勢是其使用簡便，只需要簡單的把樣品放置在測量探測器上即可完成測試。*的探測器的倏逝場可以很快，并且對許多形狀材料進(jìn)行無損測量。ε的隨機(jī)誤差小于1%，tanδ的隨機(jī)誤差小于5%。精度通過兩種不同參比材料的校準(zhǔn)來確定。通過計(jì)算參比物質(zhì)和樣品材料的相對誤差，消除外部誤差源（如室溫，濕度，震動(dòng)等） 
*&理想的測量探測器 

AET的微波介電常數(shù)測定儀擁有一個(gè)*的測試探測器叫做“同軸共振器"。測量可以選擇五點(diǎn)同時(shí)測量模式或者單個(gè)頻率測量模式。一個(gè)樣品材料放置在探測器上，一個(gè)倏逝電場從探測儀頂端滲入到樣品材料中。這個(gè)電場隨著材料的介電性質(zhì)而改變，依次改變共振頻率和整個(gè)腔體的Q值。而后介電性質(zhì)可以通過共振的變化被計(jì)算出來。高精度的測量計(jì)算程序來計(jì)算復(fù)雜的介電常數(shù)，利用電磁場分布和倏逝模式共振的特性，通過“3D EM-field"模擬器“MW studio"來計(jì)算。

介電常數(shù)計(jì)量服務(wù)： 
時(shí)至今日，介電特性的測量一直是基于微擾理論的近似計(jì)算。AET公司的介電常數(shù)計(jì)量服務(wù)是將一個(gè)高Q腔和3D電磁場模擬技術(shù)運(yùn)用到測量介電特性的過程中。介電常數(shù)計(jì)量服務(wù)可以使我們地測量出樣品的相關(guān)介電特性值。 
我們根據(jù)樣品材料的大小以及形狀選擇的測量方法，而后提供了幾乎所有樣品材料的測量方法，包括固體，片材，薄膜樣品，多層電路板，顆粒以及液體。 

應(yīng)用： 
基體材料的高速數(shù)字/微波電路；低損耗介質(zhì)用于過濾和介質(zhì)天線；薄膜材料和新材料；半導(dǎo)體材料；醫(yī)療電子；化學(xué)制品；食品（水分含量）；人體組織；氣體；液體。 

提供材料的信息，比如：質(zhì)量，大小和形狀，粗糙度 

技術(shù)參數(shù)：

（一） 同軸共振器型介電常數(shù)測定儀：（可以對所有形狀的樣品進(jìn)行測試）
1. 頻率：0.8~18GHz 
2. 頻率點(diǎn)：可以選擇五個(gè)離散的頻率點(diǎn)或者一個(gè)點(diǎn) 
3. 測量范圍：ε：1-15 tanδ：0.001~0.1 
4. 測量精度：ε：±1% tanδ：±5% 
5. 樣品形狀：形狀可以任意只要有平滑的表面即可（但是，平滑表面面積要在10mm×10mm以上，厚度在0.5mm以上）。

（二）共振腔型介電常數(shù)測定儀：（測定薄膜和多層印刷電路板）  
1. 頻率：1~18GHz 
2. 頻率點(diǎn)：每一次共振一個(gè)點(diǎn) 
3. 測量范圍：ε：1-30 tanδ：0.0001~0.1 
4. 測量精度：ε：±1% tanδ：±5% 
5. 樣品形狀：條狀、圓棒狀、方桿、薄膜

主要特點(diǎn)：

（一） 同軸共振器型介電常數(shù)測定儀：（可以對所有形狀的樣品進(jìn)行測試） 
特點(diǎn)： 
1. 一個(gè)開放型同軸共振器用倏逝模式的波進(jìn)行測定：倏逝波 
一個(gè)樣品材料放在探測儀上，一個(gè)倏逝電場從探測儀頂端滲入到樣品材料中。這個(gè)電場隨著材料的介電性質(zhì)而改變，依次改變共振頻率和整個(gè)腔體的Q值。而后介電性質(zhì)可以通過共振的變化被計(jì)算出來。 
2．簡單、準(zhǔn)確，無破壞性的測定： 
一個(gè)開放型的共振器可以簡單的進(jìn)行樣品放置，快捷準(zhǔn)確的對其介電性質(zhì)進(jìn)行測量。 
3．穩(wěn)定的測定： 
可以通過真空附件提供樣品與探測器的緊密連接。 
（二）共振腔型介電常數(shù)測定儀：（測定薄膜和多層印刷電路板） 
特點(diǎn)： 
1. 通過共振腔進(jìn)行測量 
把樣品添加入共振腔中，電場隨著樣品材料的介電性質(zhì)而改變，依次改變共振頻率和整個(gè)腔體的Q值。而后介電性質(zhì)可以通過改變的共振被計(jì)算出來。 
2. 簡單快捷的測量 
在樣品插入共振腔在很短的時(shí)間內(nèi)，介電常數(shù)就可以測出來。

標(biāo)簽：介電常數(shù)測試儀 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀 介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀