◎ 高頻阻抗分析儀電容值Cp分辨率0.00001pF和6位D值顯示，保證了ε和D值精度和重復(fù)性。

◎ 介電常數(shù)測(cè)量范圍可達(dá)1～10⁵

2 主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 ε和D性能：

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率20Hz～1MHz的ε和D變化的測(cè)試。
2.1.2 ε和D測(cè)量范圍：ε：1～10⁵，D：0.1～0.00005，
2.1.3 ε和D測(cè)量精度（10kHz）：ε：±2% ，  D：±5%±0.0001。

2.2高頻阻抗分析儀和數(shù)字電橋

儀器滿足標(biāo)準(zhǔn)GB/T 1409-2006 測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法。適用于測(cè)定熱塑性、熱固性塑料在1MHz條件下的電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)。

2.高頻電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)成

2.1.概述：高頻電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試系統(tǒng)由S916測(cè)試裝置（夾具）、GDAT型高頻Q表、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件（裝入GDAT)、及LKI-1型電感器組成，它依據(jù)國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006、美標(biāo)ASTM D150以及電工委員會(huì)IEC60250的規(guī)定設(shè)計(jì)制作。

2.2．《BH916介質(zhì)損耗裝置》(測(cè)試夾具)是測(cè)試系統(tǒng)的核心檢測(cè)部件，它由一個(gè)LCD數(shù)字顯示的微測(cè)量裝置和一對(duì)經(jīng)精密加工的、間距可調(diào)的平板電容器極片組成。平板電容器極片用于夾持被測(cè)材料樣品，微測(cè)量裝置則顯示被測(cè)材料樣品的厚度。通過被測(cè)材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化的量化，測(cè)得絕緣材料的損耗角正切值。從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。BH916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置是本公司研制的更新?lián)Q代產(chǎn)品，精密的加工設(shè)計(jì)、精確的LCD數(shù)字讀出、一鍵式清零功能，克服了機(jī)械刻度讀數(shù)誤差和圓筒形電容裝置不可避免的測(cè)量誤差。

2.3．基于串聯(lián)諧振原理的《GDAT高頻Q表》是測(cè)試系統(tǒng)的二次儀表，其數(shù)碼化主調(diào)電容器的創(chuàng)新設(shè)計(jì)代表了行業(yè)的zui高成就，隨之帶來了頻率、電容雙掃描GDAT的全新搜索功能。該表具有*人機(jī)界面，采用LCD液晶屏顯示各測(cè)量因子：Q值、電感L、主調(diào)電容器C、測(cè)試頻率F、諧振趨勢(shì)指針等。高頻信源采用直接數(shù)字合成,測(cè)試頻率10KHz-60MH或200KHz-160MHz，頻率精度高達(dá)1×10-6。國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006規(guī)定了用Q表法來測(cè)定電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)，把被測(cè)材料作為平板電容的介質(zhì)，與輔助電感等構(gòu)成串聯(lián)諧振因子引入Q表的測(cè)試回路，以獲取zui高的測(cè)試靈敏度。因而Q表法的測(cè)試結(jié)果更真實(shí)地反映了介質(zhì)在高頻工作狀態(tài)下的特征。

GDAT高頻Q表的全數(shù)字化界面和微機(jī)控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定、操作簡(jiǎn)便。操作者能在任意點(diǎn)頻率或電容值的條件下檢測(cè)Q值甚至tanδ，無(wú)須關(guān)注量程和換算，*摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴面板上印制的輔助表格操作的落后狀況，它無(wú)疑是電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)測(cè)量的理想工具。

2.4．?dāng)?shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件（裝入GDAT)，實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)分析和計(jì)算的微處理化，tanδ 測(cè)量結(jié)果的獲得無(wú)須繁瑣的人工處理，可提高數(shù)據(jù)的精確度和測(cè)量的同一性。

2.5．在系統(tǒng)中高品質(zhì)因數(shù)（Q)的電感器與平板電容（BH916）構(gòu)成了基于串聯(lián)諧振的測(cè)試回路。本技術(shù)協(xié)議的系統(tǒng)電感器為L(zhǎng)KI-1電感組共由9個(gè)高性能電感器組成，以適配不同的檢測(cè)頻率。

2.6.介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)主要性能參數(shù)

BH916測(cè)試裝置：                                      GDAT高頻Q表：

平板電容極片 Φ50mm                                  可選頻率范圍20KHz-60MHz

間距可調(diào)范圍≥15mm                                   頻率指示誤差3×10-5±1個(gè)字

夾具插頭間距25mm±0.01mm                           主電容調(diào)節(jié)范圍30-500

測(cè)微桿分辨率0.001mm                                  主調(diào)電容誤差<1%或1pF

夾具損耗角正切值≦4×10-4 （1MHz)                    Q測(cè)試范圍2～1023